Produktmodell

K4T56163QN-HCF7

Einführung

Hochleistungs-Speicher-IC, spezialisiert für fortschrittliche Rechensysteme.

Marke und Hersteller

Samsung Semiconductor

Merkmale

Hohe Datenübertragungsgeschwindigkeit, geringe Latenz, erhöhte Datensicherheit, optimiert für hochvolumige Rechenaufgaben.

Produktleistung

Außergewöhnliche Lese-/Schreibgeschwindigkeiten, stabil bei variierenden Betriebstemperaturen, effiziente Energiemanagement für reduzierten Energieverbrauch.

Technische Spezifikationen

Speichertyp: DDR-RAM, Schnittstelle: BGA (Ball Grid Array), Spannung: typische Betriebsspannungsangaben.

Abmessungen, Form und Verpackung

Kompakte BGA-Verpackung für platzsparende Board-Designs, standardisierte Abmessungen für Kompatibilität mit modernen Hardware-Designs.

Qualität und Zuverlässigkeit

Erfüllt strenge Branchenstandards für Qualität und Zuverlässigkeit, langfristige Leistungszusicherung unter kontinuierlichen Betriebsbedingungen.

Produktvorteile

Verbesserte Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit im Vergleich zu früheren Modellen, gesteigerte Effizienz bei der Verarbeitung großer Datenmengen.

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähig positioniert auf dem Markt für spezialisierte ICs, überlegene Leistungsmetriken im Vergleich zu Branchenalternativen.

Kompatibilität

Kompatibel mit einer breiten Palette von Hochleistungsrechensystemen und Mainboards.

Standardzertifizierung und Konformität

Erfüllt internationale Standards für elektronische Bauteile in Bezug auf Sicherheit und Leistung.

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Für langfristige Haltbarkeit konzipiert, nachhaltige Herstellungspraktiken zur Minimierung der Umweltauswirkungen.

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Wird in der Rechnertechnik, in Rechenzentren, in Hochleistungsservern und in fortgeschrittenen Konsumelektronik eingesetzt.

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