Produktmodell

K4T51163QN-BIE7

Einführung

DRAM-Modul, das für Anwendungen im Bereich Hochleistungsrechnen entwickelt wurde.

Marke und Hersteller

Samsung Semiconductor

Merkmale

Hohe Datenübertragungsraten, niedrige Latenz, geringer Energieverbrauch.

Produktleistung

Stabile Datenverfügbarkeit, robuste Fehlerkorrekturfähigkeiten.

Technische Spezifikationen

Typ: DRAM, Dichte: 4Gb, Datenrate: 800Mbps/Pinn, Verpackung: 84FBGA.

Abmessungen, Form und Verpackung

Abmessungen: 22mm x 12mm x 1.2mm (Verpackung), Form: Rechteckig, Verpackung: Standard-Elektronikverpackung für ICs.

Qualität und Zuverlässigkeit

Hohe Fertigungsstandards, strenge Qualitätskontrolle.

Produktvorteile

Erhöhte Haltbarkeit, optimiert für hochleistungsfähige Aufgaben, vertrauenswürdiger Markenruf.

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Modernste Technologie von einem führenden IC-Hersteller, ausgewogene Leistung und Energieeffizienz.

Kompatibilität

Breite Kompatibilität mit verschiedenen Motherboards und Systemen, die die entsprechenden DRAM-Spezifikationen unterstützen.

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht den branchenüblichen Zertifizierungen für DRAM-Module.

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Lange Produktlebensdauer, unter Berücksichtigung von Nachhaltigkeitsaspekten in der Fertigung.

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Rechnen, Hochleistungsserver, Gaming, Telekommunikationssysteme.

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