K4T51163QJ-HCE6
Artikelnummer K4T51163QJ-HCE6
Hersteller SAMSUNG
Beschreibung K4T51163QJ-HCE6 SAMSUNG
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Technische Information von K4T51163QJ-HCE6
Hersteller-Teilenummer K4T51163QJ-HCE6 Kategorie Integrierte schaltkreise (ICS)
Hersteller Samsung Semiconductor Beschreibung K4T51163QJ-HCE6 SAMSUNG
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Produktmodell

K4T51163QJ-HCE6

Einführung

Hochleistungs-DRAM-Chip

Marke und Hersteller

Samsung Halbleiter

Merkmale

Hohe Dichte, Niedriger Stromverbrauch, Hohe Zuverlässigkeit

Produktleistung

Schnelle Datenübertragungsraten, Stabile Leistung unter variierenden Arbeitslasten, Effizientes thermisches Management

Technische Spezifikationen

Typ: DRAM, Konfiguration: 512M x 16, Geschwindigkeit: PC2-5300

Abmessungen, Form und Verpackung

Verpackung: BGA, Kompakte Größe für integrierte Lösungen

Qualität und Zuverlässigkeit

Robuste Bauweise für nachhaltige Leistung, Erfüllt Branchenstandards für Qualitätssicherung

Produktvorteile

Optimiert für Hochgeschwindigkeits-Computing-Anwendungen, Reduziert Systemlatenzen

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Bietet Wettbewerbsvorteile in speicherintensiven Anwendungen

Kompatibilität

Kompatibel mit verschiedenen Motherboard-Standards, die den BGA-Verpackungstyp unterstützen

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht den gesetzlichen Vorgaben für Elektronik

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Haltbar mit langer Betriebsdauer, Entworfen für Energieeffizienz

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Verwendet in Computern, Servern und Hochleistungs-Computersystemen

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