K4T51163QN-BCE7
Artikelnummer K4T51163QN-BCE7
Hersteller SAMSUNG
Beschreibung SAMSUNG 2019+RoHS
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Technische Information von K4T51163QN-BCE7
Hersteller-Teilenummer K4T51163QN-BCE7 Kategorie Integrierte schaltkreise (ICS)
Hersteller Samsung Semiconductor Beschreibung SAMSUNG 2019+RoHS
Paket / Fall FBGA Verfügbare Menge 5497 pcs
Bedingung New Original Stock Garantie 100% Perfect Functions
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Produktmodell

K4T51163QN-BCE7

Einführung

DDR2 SDRAM Speicher-IC

Marke und Hersteller

Samsung Halbleiter

Merkmale

Hohe Datenübertragungsrate, geringer Stromverbrauch, erweiterte Datenintegritätsfunktionen, Unterstützung für mehrere Speicherbänke

Produktleistung

Taktfrequenz von bis zu 800 MHz, Datenrate von 1600 Mbps, niedrige CL-Latenz

Technische Spezifikationen

512M x 16 Bit Konfiguration, 1,8 V Betriebsspannung, 84-Ball FBGA Gehäuse

Abmessungen, Form und Verpackung

Ball Grid Array (BGA), Gehäusegröße: 8 x 12,5 x 1,2 mm, verpackt in Trays

Qualität und Zuverlässigkeit

Hohe Haltbarkeit unter längerer Betriebsdauer, erfüllt die Zuverlässigkeitsstandards der Branche

Produktvorteile

Effizientes Energiemanagement, robuste Temperaturtoleranz

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Hoch wettbewerbsfähig im mittleren Preissegment der Unterhaltungselektronik

Kompatibilität

Kompatibel mit Standard-DDR2-Schnittstellen, unterstützt JEDEC-Standardkonfigurationen

Standardzertifizierung und Konformität

JEDEC-konform, RoHS-konform

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Typische Lebensdauer von 10 Jahren unter normalen Bedingungen, umweltfreundliche Materialien und Produktionsprozesse

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Unterhaltungselektronik, Computergeräte, Digitale Medienanwendungen, Eingebettete Systeme

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