K4T51163QQBCE7
Artikelnummer K4T51163QQBCE7
Hersteller SAMSUNG
Beschreibung SAMSUNG BGA
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Technische Information von K4T51163QQBCE7
Hersteller-Teilenummer K4T51163QQBCE7 Kategorie Integrierte schaltkreise (ICS)
Hersteller Samsung Semiconductor Beschreibung SAMSUNG BGA
Paket / Fall BGA Verfügbare Menge 2530 pcs
1510+ Bedingung New Original Stock
Garantie 100% Perfect Functions Vorlaufzeit 2-3days after payment.
Zahlung PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union Versand per DHL / Fedex / UPS
Hafen HongKong Anfrage-E-Mail

Produktmodell

K4T51163QQBCE7

Einführung

Hochdichte Speicher-IC

Marke und Hersteller

Samsung Semiconductor

Merkmale

Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung, geringer Stromverbrauch, hochdichte Integration

Produktleistung

Zuverlässige Datenspeicherung, schnelle Zugriffszeiten, stabiler Betrieb bei verschiedenen Temperaturen

Technische Spezifikationen

Speicherart: DDR2, Speicherkapazität: 4 Gb (Gigabits), Datenrate: 800 Mbps, Gehäuse / Verpackung: FBGA

Abmessungen, Form und Verpackung

Rechteckiges BGA-Gehäuse, Oberflächenmontage-Technologie, standardisierte IC-Abmessungen

Qualität und Zuverlässigkeit

Auf Haltbarkeit getestet, niedrige Ausfallrate, konstante Leistung

Produktvorteile

Große Speicherkapazität, energieeffizientes Design, geeignet für fortschrittliche Computeranwendungen

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähiges Preis-Leistungs-Verhältnis, weithin anerkanntes Unternehmen

Kompatibilität

Kompatibel mit verschiedenen Motherboards und Geräten, die DDR2 verwenden

Standardzertifizierung und Konformität

Erfüllt die Branchenstandards für DDR2-Speicher

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Lange Betriebslebensdauer, aus umweltfreundlichen Materialien gefertigt

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Computer und Server, Hochleistungs-Computersysteme, fortschrittliche elektronische Geräte

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