Produktmodell

K4T56163QN-HCE6

Einführung

Hochleistungsfähiger spezialisierter integrierter Schaltkreis, der für fortschrittliche Speicherlösungen entwickelt wurde.

Marke und Hersteller

Samsung Semiconductor

Merkmale

Hochdichtes Speicher-IC, geringer Energieverbrauch, optimiert für Hochgeschwindigkeitsoperationen.

Produktleistung

Robuste thermische Verwaltung, zuverlässig unter Hochlastbetrieb, effiziente Datenverarbeitungskapazitäten.

Technische Spezifikationen

Typ: Spezialisierte ICs, Gehäusetyp: BGA, Hauptkategorie: Integrierte Schaltungen.

Abmessungen, Form und Verpackung

Ball-Grid-Array-Gehäuse für kompaktes und effizientes Layout, Standardabmessungen der Industrie für Kompatibilität.

Qualität und Zuverlässigkeit

Streng getestet auf Haltbarkeit und Leistung, erfüllt die hohen Qualitätsstandards von Samsung.

Produktvorteile

Hohe Speicherbandbreite, niedrige Latenz, überlegene Leistung in datenintensiven Anwendungen.

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähig in Märkten, die Hochgeschwindigkeits-Speicherlösungen erfordern, bevorzugte Wahl für fortschrittliche Computer- und mobile Technologien.

Kompatibilität

Kompatibel mit einer Vielzahl von Mikroprozessoren und digitalen Signalprozessoren.

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht internationalen Halbleiterstandards.

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Für langfristige Zuverlässigkeit konzipiert, mit Fokus auf reduzierte Umweltbelastung.

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Eingesetzt in den Bereichen Rechnentechnik, Mobilität, Netzwerk und Gaming, optimiert für fortschrittliche digitale Anwendungen.

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