Produktmodell

K4T51163QJ-BCE6

Einführung

Ein Hochleistungs-Gedächtnis-Schaltkreis, entwickelt für eine breite Palette digitaler Anwendungen.

Marke und Hersteller

Samsung Semiconductor

Merkmale

Hohe Datengeschwindigkeit, geringer Energieverbrauch, hohe Datendurchsatzrate.

Produktleistung

Optimiert für Multitasking-Umgebungen, effiziente Energieverwaltung zur Verlängerung der Akkulaufzeit in tragbaren Geräten.

Technische Spezifikationen

Speichertyp: DDR2, Kapazität: 512MB, Busbreite: 64 Bit, Datenrate: 800Mbps.

Abmessungen, Form und Verpackung

Verpackungstyp: Ball Grid Array (BGA), kompakter Formfaktor für platzsensible Anwendungen.

Qualität und Zuverlässigkeit

Hergestellt nach den hohen Qualitätsstandards von Samsung, langfristige Zuverlässigkeit und Stabilität.

Produktvorteile

Erhöhte Leistung für Multimedia-Anwendungen, unterstützt flüssige Videowiedergabe und schnelle Ladezeiten.

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Hochwettbewerbsfähig auf Märkten, die fortschrittliche Speicherlösungen erfordern, optimales Gleichgewicht zwischen Leistung und Kosten.

Kompatibilität

Für Kompatibilität mit einer breiten Palette digitaler Produkte konzipiert.

Standardzertifizierung und Konformität

Erfüllt weltweite Industriestandards für Speicher-Schaltkreise.

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Lange Betriebsdauer, mit dem Fokus auf Nachhaltigkeit konzipiert, minimiert den Umwelteinfluss.

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Smartphones, Digitalkameras, tragbare Medienspieler, andere digitale Elektronik, die hochleistungsfähige Speicherlösungen erfordern.

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