Produktmodell

K4T51163QQ-BIE6

Einführung

Hochleistungs-Speicher-IC, das für spezialisierte Anwendungen entwickelt wurde.

Marke und Hersteller

Samsung Semiconductor

Merkmale

Hohe Datenübertragungsrate, optimiert für Zuverlässigkeit und Ausdauer, niedriger Stromverbrauch, ausgelegt für Hochgeschwindigkeitsbetrieb.

Produktleistung

Robustes thermisches Management für verbesserte Haltbarkeit, hohe Zuverlässigkeit bei kontinuierlichem Betrieb.

Technische Spezifikationen

Typ: Spezialisierter integrierter Schaltkreis, Kategorie: Speicher-IC, Verpackungstyp: Ball Grid Array (BGA).

Abmessungen, Form und Verpackung

Kompaktes BGA-Verpackungsdesign, entwickelt für eine effiziente Raumnutzung in Designs.

Qualität und Zuverlässigkeit

Nach strengen Qualitätsstandards gefertigt, getestet auf hohe Leistung und Zuverlässigkeit.

Produktvorteile

Verbesserte Haltbarkeit und Leistung, optimiert für Energieeffizienz, hohe Datenverarbeitungskapazitäten.

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähig im Markt für Hochleistungs-Speicher, bevorzugt für Anwendungen, die intensive Datenverarbeitung erfordern.

Kompatibilität

Kompatibel mit verschiedenen Standard-Schnittstellen und Protokollen, entworfen zur nahtlosen Integration in bestehende Technologien.

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht den wichtigsten internationalen Standards für elektronische Bauteile.

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Lange Betriebslebensdauer, entworfen zur Verringerung der Umweltauswirkungen.

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Eingesetzt in Computern, Telekommunikation und fortschrittlichen elektronischen Systemen.

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