Produktmodell

K4T51163QQ-BCE7

Einführung

Dies ist ein spezialisiertes integriertes Schaltkreis, das in verschiedenen elektronischen Geräten verwendet wird.

Marke und Hersteller

Samsung Semiconductor

Merkmale

Schnelle Datenverarbeitung, geringer Stromverbrauch, fortschrittliche BGA-Verpackung für kompakte Abmessungen.

Produktleistung

Zuverlässige Datenspeicherung, stabiler Betrieb bei verschiedenen Temperaturen, schnelle Zugriffszeiten geeignet für Hochleistungsanwendungen.

Technische Spezifikationen

Typ: DDR2 SDRAM, Geschwindigkeit: PC2-6400, Spannung: 1.8V, Dichte: 512Mb, Organisation: 64M Wörter × 8 Bit.

Abmessungen, Form und Verpackung

21mm x 13mm x 1.4mm BGA-Verpackung.

Qualität und Zuverlässigkeit

Getestet unter extremen Temperaturen, robuste Datenintegrität und Fehlerverwaltung.

Produktvorteile

Optimiert für mobile und eingebettete Lösungen, hohe Bandbreite mit geringer Latenz.

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Entwickelt von einem branchenführenden Chiphersteller, wettbewerbsfähige Preise im Speichersegment.

Kompatibilität

Geeignet für Designs, die eine DDR2 SDRAM-Schnittstelle benötigen, konform mit branchenüblichen Protokollen und Anwendungen.

Standardzertifizierung und Konformität

RoHS-konform, entspricht den JEDEC-Standards.

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Für langfristigen Gebrauch ausgelegt, hergestellt mit umweltfreundlichen Materialien und Prozessen.

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Mobiltelefone, Digitalkameras, eingebettete Systeme, tragbare Spielkonsolen.

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