Produktmodell

K4T51163QI-HIE6

Einführung

Hochleistungs-Memory-IC, entwickelt für spezialisierte Anwendungen

Marke und Hersteller

Samsung Semiconductor

Merkmale

Hochgeschwindigkeit Datenverarbeitung, Niedriger Stromverbrauch, Verbesserte Haltbarkeit für langanhaltende Nutzung

Produktleistung

Optimiert für hocheffiziente Betriebe, Stabil unter verschiedenen Umgebungsbedingungen

Technische Spezifikationen

Typ: Spezialisierte integrierte Schaltungen, Gehäuse: FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)

Abmessungen, Form und Verpackung

Kompaktes FBGA-Gehäuse für raumsparendes Design, Standardisierte Dimensionen für Kompatibilität mit verschiedenen Hardware-Setups

Qualität und Zuverlässigkeit

Entspricht den strengen Qualitätsstandards von Samsung, Hohe Zuverlässigkeit unter umfangreichen Betriebstests

Produktvorteile

Überlegene Leistung bei der Datenverarbeitung, Energiesparendes Design senkt Betriebskosten

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Gut im Wettbewerb in Märkten, die fortschrittliche Speicherlösungen erfordern, Bevorzugt für Anwendungen, die hohe Zuverlässigkeit und Leistung verlangen

Kompatibilität

Kompatibel mit einer breiten Palette von Geräten, die Hochgeschwindigkeits-Speicher benötigen, Entworfen für die einfache Integration in bestehende und neue Systeme

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht internationalen elektronischen Standards und Zertifizierungen

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Für langfristige Nutzung mit minimaler Degradation konzipiert, Umweltfreundliche Komponenten minimieren den ökologischen Fußabdruck

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Verwendet in Computing, Telekommunikation und fortschrittlichen elektronischen Systemen

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