Produktmodell

K4T51163QJ-BCE7

Einführung

Hochleistungs-Memory-IC, das für fortschrittliche Computeranwendungen konzipiert wurde.

Marke und Hersteller

Samsung Semiconductor

Merkmale

Integrierter Hochleistungs-Speicher

Fortschrittliches Schaltungsdesign für effiziente Datenverarbeitung

Verbesserte Datenübertragungsgeschwindigkeit

Geringer Stromverbrauch

Produktleistung

Zuverlässige Datenspeicherung und -abruf

Hochgeschwindigkeitsbetrieb

Konsistente Leistung bei unterschiedlichen Arbeitslasten

Langlebig unter intensiver Nutzung

Technische Spezifikationen

Speichertyp: DDR2

Dichte: 512Mb

Busbreite: x16

Spannung: 1,8V

Abmessungen, Form und Verpackung

Formfaktor: BGA (Ball Grid Array)

Kompaktes und platzsparendes Design

Sichere und schützende Verpackung für den Transport

Qualität und Zuverlässigkeit

Strenge Qualitätskontrollstandards

Langfristige Zuverlässigkeit in verschiedenen Umgebungen

Widerstandsfähig gegen physische und elektrische Belastungen

Produktvorteile

Spitzen-Technologie von Samsung

Hohe Datenintegrität und Sicherheit

Geeignet für Anforderungen an Hochleistungscomputing

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähig im Markt für Hochgeschwindigkeitsspeicher

Bevorzugt für Anwendungen, die schnellen Datenzugriff und -verarbeitung erfordern

Kompatibilität

Kompatibel mit einer Vielzahl von Geräten, die DDR2-Speicher benötigen

Vielseitig für den Einsatz in verschiedenen elektronischen Anwendungen

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht internationalen Halbleiterstandards

Erfüllt Umweltund Sicherheitsvorschriften

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Lange Betriebslebensdauer

Mit nachhaltigen Praktiken entwickelt

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Fortschrittliche Computersysteme

Telekommunikationsgeräte

Elektronik im Verbrauchermarkt, die hohe Speicherkapazität erfordert

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