| DMG8N65SCT | |
|---|---|
| Artikelnummer | DMG8N65SCT |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB |
| Verfügbare Menge | 2551 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.DMG8N65SCT.pdf2.DMG8N65SCT.pdf3.DMG8N65SCT.pdf4.DMG8N65SCT.pdf |
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| DMG8N65SCT Price |
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| Technische Information von DMG8N65SCT | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | DMG8N65SCT | Kategorie | |
| Hersteller | Diodes Incorporated | Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB |
| Paket / Fall | TO-220AB | Verfügbare Menge | 2551 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 4A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 125W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1217 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) |
| Grundproduktnummer | DMG8N65 | DMG8N65SCT Einzelheiten PDF [English] | DMG8N65SCT PDF - EN.pdf |
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| DMG8N65SCT-Komponenten | DMG8N65SCT Inventar | DMG8N65SCT Digikey | |||
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| DMG8N65SCT Datenblatt | DMG8N65SCT Datenblatt herunterladen | Hersteller Diodes Incorporated | |||
| Zugehörige Teile für DMG8N65SCT | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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