| DMG8880LK3-13 | |
|---|---|
| Artikelnummer | DMG8880LK3-13 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 11A TO252 |
| Verfügbare Menge | 14499 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.DMG8880LK3-13.pdf2.DMG8880LK3-13.pdf3.DMG8880LK3-13.pdf |
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| Technische Information von DMG8880LK3-13 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | DMG8880LK3-13 | Kategorie | |
| Hersteller | Diodes Incorporated | Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 11A TO252 |
| Paket / Fall | TO-252, (D-Pak) | Verfügbare Menge | 14499 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TO-252, (D-Pak) |
| Serie | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 11.6A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.68W (Ta) | Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1289 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27.6 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Ta) |
| Grundproduktnummer | DMG8880 | DMG8880LK3-13 Einzelheiten PDF [English] | DMG8880LK3-13 PDF - EN.pdf |
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| DMG8880LK3-13-Komponenten | DMG8880LK3-13 Inventar | DMG8880LK3-13 Digikey | |||
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| DMG8880LK3-13 Datenblatt | DMG8880LK3-13 Datenblatt herunterladen | Hersteller Diodes Incorporated | |||
| Zugehörige Teile für DMG8880LK3-13 | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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