| DMG8601UFG-7 | |
|---|---|
| Artikelnummer | DMG8601UFG-7 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN |
| Verfügbare Menge | 10549 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.DMG8601UFG-7.pdf2.DMG8601UFG-7.pdf3.DMG8601UFG-7.pdf4.DMG8601UFG-7.pdf |
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| DMG8601UFG-7 Price |
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| Technische Information von DMG8601UFG-7 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | DMG8601UFG-7 | Kategorie | |
| Hersteller | Diodes Incorporated | Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN |
| Paket / Fall | U-DFN3030-8 | Verfügbare Menge | 10549 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.05V @ 250µA | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | U-DFN3030-8 | Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 6.5A, 4.5V | Leistung - max | 920mW |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerUDFN | Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 143pF @ 10V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 4.5V |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6.1A | Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Grundproduktnummer | DMG8601 | DMG8601UFG-7 Einzelheiten PDF [English] | DMG8601UFG-7 PDF - EN.pdf |
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Produktmodell
DMG8601UFG-7
Einführung
Hochleistungs-Dual-N-Kanal-MOSFET-Array
Marke und Hersteller
Diodes Incorporated
Merkmale
Logikpegel-Gate, 2 N-Kanal (Dual) Common Drain-Konfiguration, Oberflächenmontierbar
Produktleistung
Wirkt effektiv im Temperaturbereich von -55°C bis 150°C, verarbeitet Drain-zu-Source-Spannungen von bis zu 20V, kontinuierliche Drainstromkapazität von bis zu 6,1A bei 25°C, niedriger Rds (on) von 23 mOhm bei 6,5A und 4,5V
Technische Spezifikationen
Maximale Leistung: 920mW, Drain-zu-Source-Spannung (Vdss): 20V, Kontinuierlicher Drainstrom (Id) @ 25°C: 6,1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6,5A, 4,5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1,05V @ 250μA, Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 8,8nC @ 4,5V, Eingangs-Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Abmessungen, Form und Verpackung
Gehäuse: 8-PowerUDFN, Lieferantengehäuse: U-DFN3030-8, Verpackung: Tape & Reel (TR)
Qualität und Zuverlässigkeit
Für Langlebigkeit und Stabilität unter extremen Bedingungen gebaut
Produktvorteile
Effiziente Leistungsmanagement und thermische Handhabung, niedrige Gate-Ladung und Eingangs-Kapazität verbessern die Leistung
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
Wettbewerbsfähig in Niederspannungs- und hocheffizienten Anwendungen, ideal für kompakte Designs aufgrund des kleinen Gehäuseformats
Kompatibilität
Kompatibel mit Logikpegel-Gate-Ansteuerungsschaltungen
Standardzertifizierung und Konformität
Entspricht den Branchenstandards für Qualität und Zuverlässigkeit
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Für eine lange Betriebsdauer unter strengen Bedingungen ausgelegt
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Energieverwaltung, Batterie-Protection, Lastschalter, Netzschalter
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| DMG8601UFG-7-Lager | DMG8601UFG-7 Preis | DMG8601UFG-7-Elektronik | |||
| DMG8601UFG-7-Komponenten | DMG8601UFG-7 Inventar | DMG8601UFG-7 Digikey | |||
| Lieferant DMG8601UFG-7 | DMG8601UFG-7 online bestellen | Anfrage DMG8601UFG-7 | |||
| DMG8601UFG-7-Bild | DMG8601UFG-7 Bild | DMG8601UFG-7 PDF | |||
| DMG8601UFG-7 Datenblatt | DMG8601UFG-7 Datenblatt herunterladen | Hersteller Diodes Incorporated | |||
| Zugehörige Teile für DMG8601UFG-7 | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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DMG7430LFG-7 MOS | DIODES POWERDI33 | DIODES | ||
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DMG8880LSS | DMG8880LSS VB | VB | ||
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DMG8880LK3 | DMG8880LK3 VB | VB | ||
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DMG8880LK3-13 | MOSFET N-CH 30V 11A TO252 | Diodes Incorporated | ||
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DMG7702SFG-7 | MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333 | Diodes Incorporated | ||
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DMG8822UTS-13 | MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP | Diodes Incorporated | ||
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DMG8023SS | DIODES QFN | DIODES | ||
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DMG7N65SJ3 | MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251 | Diodes Incorporated | ||
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DMG8880LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOP | Diodes Incorporated | ||
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DMG7430LFGQ-7 | MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 | Diodes Incorporated | ||
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