| DMG7N65SJ3 | |
|---|---|
| Artikelnummer | DMG7N65SJ3 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251 |
| Verfügbare Menge | 2505 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.DMG7N65SJ3.pdf2.DMG7N65SJ3.pdf3.DMG7N65SJ3.pdf4.DMG7N65SJ3.pdf |
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| DMG7N65SJ3 Price |
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| Technische Information von DMG7N65SJ3 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | DMG7N65SJ3 | Kategorie | |
| Hersteller | Diodes Incorporated | Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251 |
| Paket / Fall | TO-251 | Verfügbare Menge | 2505 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TO-251 |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 125W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Paket | Tube | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 886 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.5A (Tc) |
| Grundproduktnummer | DMG7N65 | DMG7N65SJ3 Einzelheiten PDF [English] | DMG7N65SJ3 PDF - EN.pdf |
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| DMG7N65SJ3 Datenblatt | DMG7N65SJ3 Datenblatt herunterladen | Hersteller Diodes Incorporated | |||
| Zugehörige Teile für DMG7N65SJ3 | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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DMG7430LFGQ-13 | MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 | Diodes Incorporated | ||
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