Produktmodell

CY7C197B-15VC

Einführung

Hochgeschwindigkeits-CMOS-Statischen RAM

Marke und Hersteller

Cypress Semiconductor

Merkmale

64K x 4 SRAM-Konfiguration, Hohe Zugriffszeit: 15 ns, Geringer Stromverbrauch, Aktive Leistung: 275 mW (max.), Standby-Leistung: 5 mW (typ.), Schreibezyklus-Bypass-Funktion, Zickzack-Pin-Konfiguration für optimales PCB-Layout, CMOS-Technologie für Zuverlässigkeit, Vollständig statische Betriebsweise: kein Takt oder Refresh erforderlich

Produktleistung

Lese- und Schreiboperationen sind schnell und zuverlässig, In der Lage, Hochfrequenzanwendungen standzuhalten, Stabile Betriebsweise über einen breiten Temperaturbereich

Technische Spezifikationen

Organisation: 64K x 4 Bits, Datenspeicher-Spannung (min): 2V, Betriebstemperatur: -40°C bis +85°C

Abmessungen, Form und Verpackung

28-poliges SOJ-Gehäuse, Zylindrischer, rechteckiger Körper, Typischerweise in Tuben- oder Tray-Verpackung geliefert

Qualität und Zuverlässigkeit

Einhaltung der JEDEC-Normen, Bewährte CMOS-Technologie, Umfassend getestet auf Haltbarkeit und Stabilität

Produktvorteile

Optimiert für Hochgeschwindigkeits-Speicheranwendungen, Niedrigstromdesign verbessert die energieeffizienz in Geräten

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähige Zugriffszeiten für Marktbedürfnisse, Gleichgewicht zwischen Leistung und Energieeinsparung effektiv

Kompatibilität

Kompatibel mit einer breiten Palette von Mikroprozessoren und digitalen Signalprozessoren

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht den JEDEC-Normen für SRAMs, RoHS-konform für Umweltstandards

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Entwickelt für eine lange Betriebslebensdauer, Umweltfreundlich mit geringem Stromverbrauch

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Netzwerkausrüstung, Hochleistungs-Computing, Telekommunikationssysteme, Industrieelektronik, Medizinische Geräte

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