CY7C199-12VI
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Hersteller-Teilenummer CY7C199-12VI Kategorie Integrierte schaltkreise (ICS)
Hersteller CY Beschreibung CY7C199-12VI CY
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Produktmodell

CY7C199-12VI

Einführung

Hochgeschwindigkeits-CMOS-SRAM-Chip

Marke und Hersteller

Cypress Semiconductor

Merkmale

32K x 8-Bit-Konfiguration, Hochgeschwindigkeit-Zugriffszeit, Geringer Stromverbrauch, TTL-kompatible Eingänge und Ausgänge

Produktleistung

Schnelle Zugriffszeit von 12 ns, Betriebsspannungsbereich von 4,5V bis 5,5V, Aktive Leistung von 165 mW (max.), Standby-Leistung von 5 mW (max.)

Technische Spezifikationen

Statische flüchtige Speicher (SRAM), 32.768 Wörter mit 8 Bit Speicherkapazität, 70 mA Betriebsstrom

Abmessungen, Form und Verpackung

28-poliges Small Outline J-leaded (SOJ) Gehäuse

Qualität und Zuverlässigkeit

Hochwertige CMOS-Technologie, Zuverlässige Datenhaltung

Produktvorteile

Ideal für Hochgeschwindigkeits-Speicheranwendungen, Geringer Standby-Stromverbrauch ideal für batteriebetriebene Geräte

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähige Zugriffszeit im SRAM-Markt, Weitgehend anerkannte Zuverlässigkeit von Cypress

Kompatibilität

TTL-Kompatibel, JEDEC-Standard-Pinbelegung

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht oder übertrifft die JEDEC-Standard-Spezifikationen

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Robust mit lange Betriebslebensdauer

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Telekommunikation, Computersysteme, Industrieautomatisierungssysteme, Medizinelektronik

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