CY7C197-25VCT
Artikelnummer CY7C197-25VCT
Hersteller Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung IC SRAM 256KBIT PARALLEL 24SOJ
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Technische Information von CY7C197-25VCT
Hersteller-Teilenummer CY7C197-25VCT Kategorie Integrierte schaltkreise (ICS)
Hersteller Cypress Semiconductor Beschreibung IC SRAM 256KBIT PARALLEL 24SOJ
Paket / Fall 24-SOJ Verfügbare Menge 20223 pcs
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 25ns Spannungsversorgung 4.5V ~ 5.5V
Technologie SRAM - Asynchronous Supplier Device-Gehäuse 24-SOJ
Serie - Verpackung / Gehäuse 24-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Paket Bulk Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount Speichertyp Volatile
Speichergröße 256Kbit Speicherorganisation 64K x 4
Speicherschnittstelle Parallel Speicherformat SRAM
Grundproduktnummer CY7C197 Zugriffszeit 25 ns
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Produktmodell

CY7C197-25VCT

Einführung

Das CY7C197-25VCT ist ein hochgeschwindigkeitsfähiges CMOS statisches RAM (SRAM) Gerät.

Marke und Hersteller

Infineon Technologies

Merkmale

Hochgeschwindigkeitszugriffszeit von 25 ns

Niedriger Stromverbrauch

Asynchrone Speicheroperation

Einfache Integration in eine Vielzahl von Systemen durch parallele Schnittstelle

Produktleistung

Schnelle Schreibzykluszeit von 25 ns

Stabile Leistung über einen Versorgungsspannungsbereich von 4,5 V bis 5,5 V

Zuverlässiger Betrieb im Standardbetriebstemperaturbereich von 0°C bis 70°C

Technische Spezifikationen

Speichertype: Flüchtiges SRAM

SRAM-Technologie: Asynchron

Speicherkapazität: 256 Kbit

Speicherorganisation: 64K x 4

Schreibzykluszeit: 25 ns

Zugriffszeit: 25 ns

Versorgungsspannung: 4,5 V ~ 5,5 V

Abmessungen, Form und Verpackung

Oberflächenmontage-Gehäuse

24-BSOJ Gehäusetyp mit 0,300", 7,62 mm Breite

Bulk-Verpackung

Qualität und Zuverlässigkeit

Hergestellt unter strengen Qualitätskontrollen von Infineon Technologies

Zuverlässige Datenspeicherung und stabile Leistung

Produktvorteile

Schneller Datenzugriff geeignet für Hochgeschwindigkeitsanwendungen

Niedriger Strombetrieb ideal für batteriebetriebene Geräte

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Bietet ein gutes Gleichgewicht zwischen Geschwindigkeit, Energie und Dichte

Wettbewerbsfähig in Anwendungen, die schnellen Zugriff und mäßige Dichte erfordern

Kompatibilität

Kompatibel mit einer breiten Palette von Mikroprozessoren und digitalen Signalprozessoren aufgrund seiner parallelen Schnittstelle

Standardzertifizierung und Konformität

Hergestellt in Übereinstimmung mit Industriestandards für Qualität und Zuverlässigkeit

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Lange Betriebslebensdauer typisch für SRAM-Technologie

Nachhaltig durch zuverlässige Leistung über die Zeit

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Ideal für den Einsatz in eingebetteten Systemen

Telekommunikationsund Netzwerkausrüstung

Industrieund Automobilelektronik

Computerund Datenspeichergeräte

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