| FQA13N50C-F109 | |
|---|---|
| Artikelnummer | FQA13N50C-F109 |
| Hersteller | onsemi |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P |
| Verfügbare Menge | 2650 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.FQA13N50C-F109.pdf2.FQA13N50C-F109.pdf3.FQA13N50C-F109.pdf4.FQA13N50C-F109.pdf5.FQA13N50C-F109.pdf6.FQA13N50C-F109.pdf7.FQA13N50C-F109.pdf8.FQA13N50C-F109.pdf |
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| Technische Information von FQA13N50C-F109 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | FQA13N50C-F109 | Kategorie | |
| Hersteller | onsemi | Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P |
| Paket / Fall | TO-3P | Verfügbare Menge | 2650 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TO-3P |
| Serie | QFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 6.75A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 218W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Paket | Tube | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2055 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 13.5A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FQA13 | FQA13N50C-F109 Einzelheiten PDF [English] | FQA13N50C-F109 PDF - EN.pdf |
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| FQA13N50C-F109-Komponenten | FQA13N50C-F109 Inventar | FQA13N50C-F109 Digikey | |||
| Lieferant FQA13N50C-F109 | FQA13N50C-F109 online bestellen | Anfrage FQA13N50C-F109 | |||
| FQA13N50C-F109-Bild | FQA13N50C-F109 Bild | FQA13N50C-F109 PDF | |||
| FQA13N50C-F109 Datenblatt | FQA13N50C-F109 Datenblatt herunterladen | Hersteller | |||
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