Technische Information von FQA10N80C-F109
Hersteller-Teilenummer FQA10N80C-F109 Kategorie  
Hersteller onsemi Beschreibung MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Paket / Fall TO-3P Verfügbare Menge 2501 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-3P
Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max) 240W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3
Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)
Grundproduktnummer FQA10 FQA10N80C-F109 Einzelheiten PDF [English] FQA10N80C-F109 PDF - EN.pdf
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