SI7802DN-T1-E3
Artikelnummer SI7802DN-T1-E3
Hersteller Vishay Siliconix
Beschreibung MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK
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Technische Information von SI7802DN-T1-E3
Hersteller-Teilenummer SI7802DN-T1-E3 Kategorie  
Hersteller Vishay / Siliconix Beschreibung MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK
Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 Verfügbare Menge 2679 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® 1212-8
Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 435mOhm @ 1.95A, 10V
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta) Verpackung / Gehäuse PowerPAK® 1212-8
Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.24A (Ta) Grundproduktnummer SI7802
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