| SI7792DP-T1-GE3 | |
|---|---|
| Artikelnummer | SI7792DP-T1-GE3 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK |
| Verfügbare Menge | 2575 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.SI7792DP-T1-GE3.pdf2.SI7792DP-T1-GE3.pdf |
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| SI7792DP-T1-GE3 Price |
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| Technische Information von SI7792DP-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | SI7792DP-T1-GE3 | Kategorie | |
| Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay | Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 | Verfügbare Menge | 2575 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
| Serie | SkyFET®, TrenchFET® Gen III | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 20A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4735 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | Schottky Diode (Body) | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 40.6A (Ta), 60A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SI7792 | SI7792DP-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI7792DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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Produktmodell
SI7792DP-T1-GE3
Einführung
N-Kanal Leistungs-MOSFET mit Schottky-Diode
Marke und Hersteller
Electro-Films (EFI) / Vishay
Merkmale
MOSFET (Metall-Oxid), N-Kanal, Integrierte Schottky-Diode (Body-Diode), Hoher kontinuierlicher Drainstrom, Bleifrei / RoHS-konform, Oberflächenmontagetechnologie
Produktleistung
Hohe Leistungsabfuhr, Effizientes thermisches Management, Niedriger Rds On für verbesserte Effizienz, Hohe Drain-zu-Source-Spannung, Schnelles Schalten
Technische Spezifikationen
30V Drain-zu-Source-Spannung, 40.6A bis 60A kontinuierlicher Drainstrom, 2.1 mOhm Rds On bei 20A, 10V, 4.5V bis 10V Ansteuerungsspannung, 135nC Gate-Ladung bei 10V, 4.735nF Eingangskapazität bei 15V, ±20V Gate-zu-Source-Spannung
Abmessungen, Form und Verpackung
PowerPAK SO-8-Gehäuse, Tape & Reel Verpackung für automatisierte Montage
Qualität und Zuverlässigkeit
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe 1, Robuste Bauweise für Langlebigkeit
Produktvorteile
Niedrige Verlustleistung, Hohe Schaltgeschwindigkeit, Effiziente Energieumwandlung
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
TrenchFET Gen III Technologie für überlegene Leistung, SkyFET-Serie ist bekannt für Qualität
Kompatibilität
Kompatibel mit anderen Oberflächenmontagegeräten, Integrierte Body-Diode für vereinfachtes Schaltungsdesign
Standardzertifizierung und Konformität
Bleifrei, RoHS-konform
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Für langfristige Zuverlässigkeit ausgelegt
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Energemanagement, DC/DC-Wandler, Motorantriebe, Computertechnik, Telekommunikation
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| SI7792DP-T1-GE3-Lager | SI7792DP-T1-GE3 Preis | SI7792DP-T1-GE3-Elektronik | |||
| SI7792DP-T1-GE3-Komponenten | SI7792DP-T1-GE3 Inventar | SI7792DP-T1-GE3 Digikey | |||
| Lieferant SI7792DP-T1-GE3 | SI7792DP-T1-GE3 online bestellen | Anfrage SI7792DP-T1-GE3 | |||
| SI7792DP-T1-GE3-Bild | SI7792DP-T1-GE3 Bild | SI7792DP-T1-GE3 PDF | |||
| SI7792DP-T1-GE3 Datenblatt | SI7792DP-T1-GE3 Datenblatt herunterladen | Hersteller Electro-Films (EFI) / Vishay | |||
| Zugehörige Teile für SI7792DP-T1-GE3 | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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SI7802DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK | Vishay Siliconix | ||
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SI7790DP-T1-GE3 MOS | VISHAY PowerPAKSO-8 | VISHAY | ||
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SI7790DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7802DN | SI7802DN SI | SI | ||
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SI7784DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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Si7790DP-T1-E3 | Si7790DP-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
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SI7788DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
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SI7804DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix | ||
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