| SI1551DL-T1-GE3 | |
|---|---|
| Artikelnummer | SI1551DL-T1-GE3 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 |
| Verfügbare Menge | 17585 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.SI1551DL-T1-GE3.pdf2.SI1551DL-T1-GE3.pdf3.SI1551DL-T1-GE3.pdf |
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| Technische Information von SI1551DL-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | SI1551DL-T1-GE3 | Kategorie | |
| Hersteller | Vishay / Siliconix | Beschreibung | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 |
| Paket / Fall | SC-70-6 | Verfügbare Menge | 17585 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SC-70-6 | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9Ohm @ 290mA, 4.5V | Leistung - max | 270mW |
| Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 290mA, 410mA | Konfiguration | N and P-Channel |
| Grundproduktnummer | SI1551 | SI1551DL-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI1551DL-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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| Zugehörige Teile für SI1551DL-T1-GE3 | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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SI1553CDL-T1-BE3 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | Vishay Siliconix | ||
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SI1553CDL-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | Vishay Siliconix | ||
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