| SI1539DL-T1-GE3 | |
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| Artikelnummer | SI1539DL-T1-GE3 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V SC70-6 |
| Verfügbare Menge | 18985 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.SI1539DL-T1-GE3.pdf2.SI1539DL-T1-GE3.pdf3.SI1539DL-T1-GE3.pdf |
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| Technische Information von SI1539DL-T1-GE3 | |||
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| Hersteller-Teilenummer | SI1539DL-T1-GE3 | Kategorie | |
| Hersteller | Vishay / Siliconix | Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V SC70-6 |
| Paket / Fall | SC-70-6 | Verfügbare Menge | 18985 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA | Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SC-70-6 | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 590mA, 10V | Leistung - max | 270mW |
| Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 10V |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 540mA, 420mA | Konfiguration | N and P-Channel |
| Grundproduktnummer | SI1539 | SI1539DL-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI1539DL-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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