| SI1488DH-T1-GE3 | |
|---|---|
| Artikelnummer | SI1488DH-T1-GE3 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6 |
| Verfügbare Menge | 12000 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.SI1488DH-T1-GE3.pdf2.SI1488DH-T1-GE3.pdf3.SI1488DH-T1-GE3.pdf |
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| Technische Information von SI1488DH-T1-GE3 | |||
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| Hersteller-Teilenummer | SI1488DH-T1-GE3 | Kategorie | |
| Hersteller | Vishay / Siliconix | Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6 |
| Paket / Fall | SC-70-6 | Verfügbare Menge | 12000 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA | Vgs (Max) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | SC-70-6 |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 4.6A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6.1A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SI1488 | SI1488DH-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI1488DH-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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