| SI1480DH-T1-GE3 | |
|---|---|
| Artikelnummer | SI1480DH-T1-GE3 |
| Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-363 |
| Verfügbare Menge | 2844 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | |
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| Technische Information von SI1480DH-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | SI1480DH-T1-GE3 | Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay | Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-363 |
| Paket / Fall | Tape & Reel (TR) | Verfügbare Menge | 2844 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | SC-70-6 (SOT-363) |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.9A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Andere Namen | SI1480DH-T1-GE3TR SI1480DHT1GE3 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 50V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 100V 2.6A (Tc) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.6A (Tc) |
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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