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Zuhause Produkte SSM3J356R,LF
SSM3J356R,LF
Artikelnummer SSM3J356R,LF
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Verfügbare Menge 13000 pcs new original in stock.
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Technische Information von SSM3J356R,LF
Hersteller-Teilenummer SSM3J356R,LF Kategorie  
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) Beschreibung MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Paket / Fall SOT-23F Verfügbare Menge 13000 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Vgs (Max) +10V, -20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse SOT-23F
Serie U-MOSVI Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1A, 10V
Verlustleistung (max) 1W (Ta) Verpackung / Gehäuse SOT-23-3 Flat Leads
Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V Typ FET P-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta)
Grundproduktnummer SSM3J356 SSM3J356R,LF Einzelheiten PDF [English] SSM3J356R,LF PDF - EN.pdf
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