| SSM3J356R | |
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| Artikelnummer | SSM3J356R |
| Hersteller | TOSHIBA |
| Beschreibung | SSM3J356R TOSHIBA |
| Verfügbare Menge | 3397 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | |
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| SSM3J356R Price |
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| Technische Information von SSM3J356R | |||
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| Hersteller-Teilenummer | SSM3J356R | Kategorie | Integrierte schaltkreise (ICS) |
| Hersteller | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Beschreibung | SSM3J356R TOSHIBA |
| Paket / Fall | Verfügbare Menge | 3397 pcs | |
| Paket | SOT-23F | Bedingung | New Original Stock |
| Garantie | 100% Perfect Functions | Vorlaufzeit | 2-3days after payment. |
| Zahlung | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union | Versand per | DHL / Fedex / UPS |
| Hafen | HongKong | Anfrage-E-Mail | |
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Produktmodell
SSM3J356R
Einführung
Der SSM3J356R ist ein integrierter Schaltkreis, der für spezialisierte Anwendungen entwickelt wurde.
Marke und Hersteller
Toshiba Halbleiter und Speicher
Merkmale
N-Kanal MOSFET, niedriger Drain-Source Durchlasswiderstand: RDS(on), Hochgeschwindigkeitsschaltung, Oberflächenmontagegehäuse, reduziert den Energieverbrauch.
Produktleistung
Effizientes Energiemanagement, hohe Zuverlässigkeit und Stabilität, optimiert für Niederspannungsbetriebe, konsistente Leistung über einen breiten Temperaturbereich.
Technische Spezifikationen
RDS(on)-Werte, Gate-Schwellen-Spannung, Source-Drain-Spannung, kontinuierlicher Drain-Strom, gesamte Leistungsabgabe.
Abmessungen, Form und Verpackung
Kompakte Größe, Oberflächenmontagegehäuse, geliefert auf Rolle für die automatisierte Montage, standardisierte Bauteilabmessungen für die Integration in Leiterplatten.
Qualität und Zuverlässigkeit
Hergestellt von Toshiba, einem führenden Halbleiterhersteller, entspricht den branchenüblichen Qualitätsstandards, robust gegenüber elektrischer und thermischer Belastung, langfristige Betriebsstabilität.
Produktvorteile
Hohe Energieeffizienz, niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leistungsverlusten, geeignet für hochdichte PCB-Layouts, leicht in bestehende Designs zu integrieren.
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
Wettbewerbsfähig im Vergleich zu ähnlichen N-Kanal-MOSFETs auf dem Markt, attraktiv für kostenbewusste Anwendungen aufgrund von Toshibas Produktionskapazität, Potenzial für geringere Gesamtsystemkosten.
Kompatibilität
Kompatibel mit Standard-SMD-Lötverfahren, integriert sich in eine Vielzahl von Elektronikschaltungen und -produkten.
Standardzertifizierung und Konformität
Einhaltung von RoHS und anderen Umweltvorschriften, erfüllt die gängigen Branchenzertifizierungen für spezialisierte ICs.
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Langlebig unter langfristigem Betrieb, entwickelt für energieeffiziente Anwendungen, trägt zur Nachhaltigkeit bei.
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Energiespeichermanagementsysteme, DC-DC-Wandler, batteriebetriebene Geräte, Lastschalter, hocheffiziente Stromversorgungen.
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