Produktmodell

SSM3J331R

Einführung

Leistungs-MOSFET, P-Kanal

Marke und Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Merkmale

P-Kanal-Einschalt-Modus, Hochgeschwindigkeits-Schalten, Niedrige Einschaltwiderstand, Niedrige Gatterladung, Geeignet für hochdichte Montage

Produktleistung

Ansteuerspannung von 2,5 V, Niedrige Ausgangsladung, Hochstromsteuerung

Technische Spezifikationen

V_DSS = -30 V, I_D = -6 A, R_DS(ON) = 52 mΩ (typ.) bei V_GS = -4,5 V, R_DS(ON) = 68 mΩ (typ.) bei V_GS = -2,5 V, Leistungsdissipation: 1,5 W

Abmessungen, Form und Verpackung

Sehr kompakte und dünne Verpackung, SOT-23F-Verpackung, Rollenverpackung für automatisierte Montage

Qualität und Zuverlässigkeit

Hohe Zuverlässigkeit, Beständigkeit gegen wiederholtes Schalten

Produktvorteile

Energie sparender Bauteil, Beitrag zur Reduzierung des Energieverbrauchs

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähige Preise in der Kategorie P-Kanal MOSFET, Erfüllt die Anforderungen an höhere Effizienz in der Leistungselektronik

Kompatibilität

Kompatibel mit vielen Standard-Logikpegelanwendungen

Standardzertifizierung und Konformität

RoHS-konform, Halogenfrei

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Für langfristigen Betrieb ausgelegt, Beitrag zu energieeffizienten Designs

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Anwendungen in der Leistungselektronik, Lastumschalter, Batterieumschalter, DC/DC-Wandler, Stromversorgungsschaltungen

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