SSM3J328R.LF
Artikelnummer SSM3J328R.LF
Hersteller TOSHIBA
Beschreibung TOSHIBA SOT23-3
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Technische Information von SSM3J328R.LF
Hersteller-Teilenummer SSM3J328R.LF Kategorie Integrierte schaltkreise (ICS)
Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) Beschreibung TOSHIBA SOT23-3
Paket / Fall SOT-23 Verfügbare Menge 23000 pcs
Bedingung New Original Stock Garantie 100% Perfect Functions
Vorlaufzeit 2-3days after payment. Zahlung PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union
Versand per DHL / Fedex / UPS Hafen HongKong
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Produktmodell

SSM3J328R.LF

Einführung

Transistor-Feldeffekt-Silizium P-Kanal Verstärkungstyp

Marke und Hersteller

Toshiba Halbleiter und Speicher

Merkmale

Niedriger Drain-Source Durchgangswiderstand, Hochgeschwindigkeits-Schaltung, Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse, Hohe Dichte bei der Montage

Produktleistung

Niedrige Sättigungsspannung, Reduzierter Energieverbrauch, Hervorragende Linearität

Technische Spezifikationen

P-Kanal MOSFET, Drain-Source Spannung (Vdss): -30V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id): -6A, Leistungsaufnahme (Pd): 1.5W, RDS(on) Max bei Id, Vgs: 45 mOhm bei -4.5A, -10V

Abmessungen, Form und Verpackung

SOT-23F Gehäuse, Kompakt und leicht

Qualität und Zuverlässigkeit

Bewährte Toshiba-Qualität, Hohe Zuverlässigkeit

Produktvorteile

Energiesparend, Platzsparendes Design, Überlegene thermische Leistung

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähige Preise, Breite Anwendbarkeit in verschiedenen Schaltungen

Kompatibilität

Kompatibel mit anderen P-Kanal MOSFETs in ähnlichen Gehäusen

Standardzertifizierung und Konformität

RoHS-konform, Erfüllt Branchenstandards für Qualität und Sicherheit

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Langlebig mit einer langen Betriebslebensdauer, Umweltfreundliche Materialien

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Energieverwaltungsanwendungen, Belastungsschalter, Batteriesysteme, Umwandlungsschaltungen

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