| SSM3J321T(TE85L,F) | |
|---|---|
| Artikelnummer | SSM3J321T(TE85L,F) |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM |
| Verfügbare Menge | 2516 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.SSM3J321T(TE85L,F).pdf2.SSM3J321T(TE85L,F).pdf |
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| Technische Information von SSM3J321T(TE85L,F) | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | SSM3J321T(TE85L,F) | Kategorie | |
| Hersteller | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM |
| Paket / Fall | TSM | Verfügbare Menge | 2516 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TSM |
| Serie | U-MOSV | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 3A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 700mW (Ta) | Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 640 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1 nC @ 4.5 V | Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.2A (Ta) |
| Grundproduktnummer | SSM3J321 | SSM3J321T(TE85L,F) Einzelheiten PDF [English] | SSM3J321T(TE85L,F) PDF - EN.pdf |
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| SSM3J321T(TE85L,F)-Lager | SSM3J321T(TE85L,F) Preis | SSM3J321T(TE85L,F)-Elektronik | |||
| SSM3J321T(TE85L,F)-Komponenten | SSM3J321T(TE85L,F) Inventar | SSM3J321T(TE85L,F) Digikey | |||
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| Zugehörige Teile für SSM3J321T(TE85L,F) | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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