SSM3J307T(TE85L,F)
Artikelnummer SSM3J307T(TE85L,F)
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 5A TSM
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Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) Beschreibung MOSFET P-CH 20V 5A TSM
Paket / Fall TSM Verfügbare Menge 2554 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Vgs (Max) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TSM
Serie U-MOSV Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 4A, 4.5V
Verlustleistung (max) 700mW (Ta) Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1170 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V Typ FET P-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Ta)
Grundproduktnummer SSM3J307 SSM3J307T(TE85L,F) Einzelheiten PDF [English] SSM3J307T(TE85L,F) PDF - EN.pdf
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