| SSM3J168F,LXHF | |
|---|---|
| Artikelnummer | SSM3J168F,LXHF |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung | SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/- |
| Verfügbare Menge | 1173 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | SSM3J168F,LXHF.pdf |
| SSM3J168F,LXHF Price |
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| Technische Information von SSM3J168F,LXHF | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | SSM3J168F,LXHF | Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Hersteller | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Beschreibung | SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/- |
| Paket / Fall | S-Mini | Verfügbare Menge | 1173 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | S-Mini |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55Ohm @ 200mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 600mW (Ta) | Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 82 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 10 V | Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 400mA (Ta) |
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| SSM3J168F,LXHF-Lager | SSM3J168F,LXHF Preis | SSM3J168F,LXHF-Elektronik | |||
| SSM3J168F,LXHF-Komponenten | SSM3J168F,LXHF Inventar | SSM3J168F,LXHF Digikey | |||
| Lieferant SSM3J168F,LXHF | SSM3J168F,LXHF online bestellen | Anfrage SSM3J168F,LXHF | |||
| SSM3J168F,LXHF-Bild | SSM3J168F,LXHF Bild | SSM3J168F,LXHF PDF | |||
| SSM3J168F,LXHF Datenblatt | SSM3J168F,LXHF Datenblatt herunterladen | Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |||
| Zugehörige Teile für SSM3J168F,LXHF | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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