| SSM3J168F,LF | |
|---|---|
| Artikelnummer | SSM3J168F,LF |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI |
| Verfügbare Menge | 2519 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | SSM3J168F,LF.pdf |
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| SSM3J168F,LF Price |
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| Technische Information von SSM3J168F,LF | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | SSM3J168F,LF | Kategorie | |
| Hersteller | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Beschreibung | MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI |
| Paket / Fall | SOT-23-3 | Verfügbare Menge | 2519 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | SOT-23-3 |
| Serie | U-MOSVI | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 1.2W (Ta) | Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 82 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 10 V | Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 400mA (Ta) |
| Grundproduktnummer | SSM3J168 | SSM3J168F,LF Einzelheiten PDF [English] | SSM3J168F,LF PDF - EN.pdf |
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Produktmodell
SSM3J168F,LF
Einführung
P-Kanal MOSFET, entworfen für das Energiemanagement und die Schaltungstechnik.
Marke und Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Merkmale
P-Kanal, 60V, 400mA, niedriger Einschaltwiderstand, Hochgeschwindigkeitsschaltung, niedrige Steuerspannung.
Produktleistung
1,2W Leistungsdissipation, hohe Zuverlässigkeit bei Hochgeschwindigkeitsschaltungen, niedrige Gate-Ladung für eine effiziente Betriebsweise.
Technische Spezifikationen
60V Drain-Source-Spannung (Vds), 400mA Drain-Strom (Id), 1,9 Ohm statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand (Rds(on)) bei 100mA, 4,5V, 82pF Gate-Ladung (Qg) bei 10V, 3nC Gesamte Gate-Ladung (Qg), 2V Gate-Source-Schwellenwertspannung (Vgs(th)) bei 1mA, max. 20V Vorwärts-Gate-Source-Spannung (Vgs), max. -16V Rückwärts-Gate-Source-Spannung (Vgs).
Abmessungen, Form und Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Gehäuse, geliefert in Tape & Reel (TR) für automatisierte Montage, Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1.
Qualität und Zuverlässigkeit
Bleifrei und RoHS-konform, hohe Feuchtigkeitsbeständigkeit.
Produktvorteile
Verbesserte thermische Leistung für die Größe, geeignet für Niedervolt-Anwendungen.
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
Hochgeschwindigkeitsschaltfähigkeiten, energieeffizienter Betrieb.
Kompatibilität
Kompatibel mit Oberflächenmontagetechnologie (SMT).
Standardzertifizierung und Konformität
Bleifrei / RoHS konform.
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Entwickelt für langfristige Zuverlässigkeit, umweltfreundliche Materialien und Produktion.
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Energieverwaltungssysteme, Schaltungsanwendungen, tragbare Geräte, Stromversorgungen.
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| SSM3J168F,LF-Lager | SSM3J168F,LF Preis | SSM3J168F,LF-Elektronik | |||
| SSM3J168F,LF-Komponenten | SSM3J168F,LF Inventar | SSM3J168F,LF Digikey | |||
| Lieferant SSM3J168F,LF | SSM3J168F,LF online bestellen | Anfrage SSM3J168F,LF | |||
| SSM3J168F,LF-Bild | SSM3J168F,LF Bild | SSM3J168F,LF PDF | |||
| SSM3J168F,LF Datenblatt | SSM3J168F,LF Datenblatt herunterladen | Hersteller TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |||
| Zugehörige Teile für SSM3J168F,LF | |||||
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