| SSM3J114TU(TE85L) | |
|---|---|
| Artikelnummer | SSM3J114TU(TE85L) |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM |
| Verfügbare Menge | 2627 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.SSM3J114TU(TE85L).pdf2.SSM3J114TU(TE85L).pdf |
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| Technische Information von SSM3J114TU(TE85L) | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | SSM3J114TU(TE85L) | Kategorie | |
| Hersteller | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM |
| Paket / Fall | UFM | Verfügbare Menge | 2627 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | UFM |
| Serie | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 149mOhm @ 600mA, 4V |
| Verlustleistung (max) | 500mW (Ta) | Verpackung / Gehäuse | 3-SMD, Flat Leads |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 331 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 4 V | Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.8A (Ta) |
| Grundproduktnummer | SSM3J114 | SSM3J114TU(TE85L) Einzelheiten PDF [English] | SSM3J114TU(TE85L) PDF - EN.pdf |
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| Zugehörige Teile für SSM3J114TU(TE85L) | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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