Produktmodell

K6R4004C1D-JC10

Einführung

Samsung High-Capacity 4-Megabit CMOS-Statik-Random-Access-Speicher (SRAM)

Marke und Hersteller

Samsung Semiconductor

Merkmale

4 Mb Speicherkapazität, statischer Zufallsspeicher, niederstrom CMOS-Technologie, 5V-Stromversorgung, schneller Zugriffszeit

Produktleistung

Hohe Datenzugriffsgeschwindigkeit, niedriger Datenaufbewahrungsspannungswert, minimiertes Risiko der Datenverfälschung

Technische Spezifikationen

Speicherorganisation: 512K x 8, Datenaufbewahrungsspannung: Mindestens 2V, Gehäuse: 32-SOJ

Abmessungen, Form und Verpackung

Form: Rechteckig, Abmessungen: Abhängig vom spezifischen Produktgehäuse, Verpackung: Standard-IC-Verpackung, geeignet für Maschinenplatzierung

Qualität und Zuverlässigkeit

Hohe Qualitätsstandards von Samsung, strenge Zuverlässigkeitstests

Produktvorteile

Große Speicherkapazität, schnelle Zugriffszeit, zuverlässigkeit eines vertrauenswürdigen Markenherstellers

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähige Preise für den SRAM-Segment, Ruf von Samsung Semiconductor auf dem Speichermarkt

Kompatibilität

Kompatibel mit einer breiten Palette von Mikrocontrollern und Prozessoren, Standard-CMOS-Integration

Standardzertifizierung und Konformität

Erfüllt die relevanten Standards der Halbleiterindustrie

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Lange Betriebslebensdauer, typisch für SRAM-Technologie, stabile Leistung über lange Zeiträume

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Verwendbar in der Telekommunikation, geeignet für Netzwerkausrüstung, eingesetzt in Computerausrüstung, anwendbar in spezialisierten eingebetteten Systemen

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