K6R1016V1D-UI10
Artikelnummer K6R1016V1D-UI10
Hersteller SAMSUNG
Beschreibung K6R1016V1D-UI10 SAMSUNG
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Technische Information von K6R1016V1D-UI10
Hersteller-Teilenummer K6R1016V1D-UI10 Kategorie Integrierte schaltkreise (ICS)
Hersteller Samsung Semiconductor Beschreibung K6R1016V1D-UI10 SAMSUNG
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Paket TSOP Bedingung New Original Stock
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Produktmodell

K6R1016V1D-UI10

Einführung

Hochgeschwindigkeits-Static Random Access Memory (SRAM) Chip

Marke und Hersteller

Samsung Semiconductor

Merkmale

Niedriger Energieverbrauch, hohe Geschwindigkeit der Datenaufbewahrung, ein einzelnes 3,3V-Stromversorgungssystem, niedrige Spannungsdatenaufbewahrung: mindestens 2,0V, TTL-kompatible Eingänge und Ausgänge

Produktleistung

Zugriffszeit: 10ns, niedriger aktiver Energieverbrauch, hohe Ausgangsleistungsfähigkeit, stabile Datenaufbewahrungsmerkmale

Technische Spezifikationen

Kapazität von 1 Mbit (64K x 16-Bit), Betriebstemperaturbereich: -40°C bis +85°C, Gehäusetyp: TSOP-II

Abmessungen, Form und Verpackung

TSOP-II 44-poliges Gehäuse, Abmessungen werden im Hersteller-Datensheet spezifiziert

Qualität und Zuverlässigkeit

Produziert von Samsung, bekannt für hochwertige Halbleiterprodukte, geprüft auf Haltbarkeit und langfristige Zuverlässigkeit

Produktvorteile

Schnelle Zugriffszeit für Hochgeschwindigkeits-Mikroprozessoren, hohe Datenbandbreitenfähigkeiten

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Konkurriert mit ähnlichen SRAM-Produkten in Bezug auf Geschwindigkeit und Energieeffizienz, hohe Qualitätsstandards von Samsung Semiconductor

Kompatibilität

Kompatibel mit verschiedenen Mikrocontrollern und Prozessoren, die Hochgeschwindigkeits-SRAM erfordern

Standardzertifizierung und Konformität

Richtlinienkonformität: RoHS, erfüllt branchenübliche Halbleiterzertifizierungen

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Robust und zuverlässig über längere Zeiträume, unterstützt nachhaltige Nutzung durch energiesparendes Design

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Mikroprozessor- und Mikrocontroller-Systeme, Zwischenspeicher für PCs und Server, tragbare Elektronik, Telekommunikationsinfrastruktur, Automobil-Elektronik

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