MT47H128M8SH-25E | |
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Artikelnummer | MT47H128M8SH-25E |
Hersteller | |
Beschreibung | |
Verfügbare Menge | Angebots- und Angebotsanfrage |
Datenblätter | MT47H128M8SH-25E.pdf |
MT47H128M8SH-25E Price |
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Technische Information von MT47H128M8SH-25E | |||
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Hersteller-Teilenummer | MT47H128M8SH-25E | Kategorie | Integrierte schaltkreise (ICS) |
Hersteller | Beschreibung | ||
Paket / Fall | Verfügbare Menge | Available Stock | |
Bedingung | New Original Stock | Garantie | 100% Perfect Functions |
Vorlaufzeit | 2-3days after payment. | Zahlung | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union |
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MT47H128M8SH-25E
Hochgeschwindigkeits-DDR2-SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory)
Micron Technology, Inc.
Hochdichte 1Gb DDR2-Architektur, acht interne Banken für gleichzeitigen Betrieb, bidirektionaler Datenstrobe (DQS), On-Die-Terminierung (ODT), Anpassung der Impedanz des Off-Chip-Treibers (OCD)
Spitzenübertragungsraten von bis zu 4000 MB/s, programmierbare CAS-Latenz (CL), additive Latenz (AL) und Schreibwiederherstellungszeit (WR), Auto- und Selbst-Refresh-Funktionen
Dichte: 1 Gb; Konfigurationen: 128 Meg x 8; Geschwindigkeit: PC2-6400 (800 MHz); Spannung: 1.8V +/-0.1V; Vorladebefehlsperiode (tRP): 15 ns
Standard TFBGA-Gehäuse; Abmessungen: 11mm x 18mm x 1.2mm; Gewicht: 2 Gramm
Betrieb im industriellen Temperaturbereich; blei- und RoHS-konform; MTTF: über 1.000.000 Stunden
Verbesserte Datenintegrität durch On-Die-Terminierung; geringer Stromverbrauch durch reduzierte Spannung
Gut geeignet für Hochgeschwindigkeits-Computing-Anwendungen; kosteneffektive Lösung in großen Mengen
Kompatibel mit Standard-DDR2-Schnittstellen; lässt sich leicht in bestehende Plattformen integrieren, die DDR2-Speicher benötigen
JEDEC-konform; RoHS-konform
Typische Lebensdauer von 10 Jahren unter normalen Bedingungen; umweltfreundliche, bleifreie Konstruktion
Personalcomputer und Laptops; Server und Netzwerkausrüstungen; Spielkonsolen und Grafikkarten
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