MT47H128M8SH-25E
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Hersteller-Teilenummer MT47H128M8SH-25E Kategorie Integrierte schaltkreise (ICS)
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Produktmodell

MT47H128M8SH-25E

Einführung

Hochgeschwindigkeits-DDR2-SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory)

Marke und Hersteller

Micron Technology, Inc.

Merkmale

Hochdichte 1Gb DDR2-Architektur, acht interne Banken für gleichzeitigen Betrieb, bidirektionaler Datenstrobe (DQS), On-Die-Terminierung (ODT), Anpassung der Impedanz des Off-Chip-Treibers (OCD)

Produktleistung

Spitzenübertragungsraten von bis zu 4000 MB/s, programmierbare CAS-Latenz (CL), additive Latenz (AL) und Schreibwiederherstellungszeit (WR), Auto- und Selbst-Refresh-Funktionen

Technische Spezifikationen

Dichte: 1 Gb; Konfigurationen: 128 Meg x 8; Geschwindigkeit: PC2-6400 (800 MHz); Spannung: 1.8V +/-0.1V; Vorladebefehlsperiode (tRP): 15 ns

Abmessungen, Form und Verpackung

Standard TFBGA-Gehäuse; Abmessungen: 11mm x 18mm x 1.2mm; Gewicht: 2 Gramm

Qualität und Zuverlässigkeit

Betrieb im industriellen Temperaturbereich; blei- und RoHS-konform; MTTF: über 1.000.000 Stunden

Produktvorteile

Verbesserte Datenintegrität durch On-Die-Terminierung; geringer Stromverbrauch durch reduzierte Spannung

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Gut geeignet für Hochgeschwindigkeits-Computing-Anwendungen; kosteneffektive Lösung in großen Mengen

Kompatibilität

Kompatibel mit Standard-DDR2-Schnittstellen; lässt sich leicht in bestehende Plattformen integrieren, die DDR2-Speicher benötigen

Standardzertifizierung und Konformität

JEDEC-konform; RoHS-konform

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Typische Lebensdauer von 10 Jahren unter normalen Bedingungen; umweltfreundliche, bleifreie Konstruktion

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Personalcomputer und Laptops; Server und Netzwerkausrüstungen; Spielkonsolen und Grafikkarten

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