MT47H128M8JN-3:H | |
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Artikelnummer | MT47H128M8JN-3:H |
Hersteller | Micron Technology Inc. |
Beschreibung | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA |
Verfügbare Menge | 2816 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | 1.MT47H128M8JN-3:H.pdf2.MT47H128M8JN-3:H.pdf3.MT47H128M8JN-3:H.pdf4.MT47H128M8JN-3:H.pdf5.MT47H128M8JN-3:H.pdf |
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Technische Information von MT47H128M8JN-3:H | |||
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Hersteller-Teilenummer | MT47H128M8JN-3:H | Kategorie | Integrierte schaltkreise (ICS) |
Hersteller | Micron Technology | Beschreibung | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA |
Paket / Fall | 60-FBGA (8x10) | Verfügbare Menge | 2816 pcs |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns | Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Technologie | SDRAM - DDR2 | Supplier Device-Gehäuse | 60-FBGA (8x10) |
Serie | - | Verpackung / Gehäuse | 60-TFBGA |
Paket | Tray | Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount | Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 1Gbit | Speicherorganisation | 128M x 8 |
Speicherschnittstelle | Parallel | Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 333 MHz | Grundproduktnummer | MT47H128M8 |
Zugriffszeit | 450 ps | MT47H128M8JN-3:H Einzelheiten PDF [English] | MT47H128M8JN-3:H PDF - EN.pdf |
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MT47H128M8JN-3:H
Hochgeschwindigkeits-DDR2-SDRAM-Speichermodul, das für fortschrittliche elektronische Systeme entwickelt wurde.
Micron Technology
Große Speicherkapazität von 1 Gbit; 128M x 8 Speicherorganisation für effiziente Datenverwaltung; Paralleles Speicherschnittstelle ermöglicht Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung.
Hohe Datenrate mit einer Taktfrequenz von 333 MHz; Schnelle Schreibzykluszeit von 15 ns; Schnelle Zugriffszeit von 450 ps, die eine zügige Datenabfrage gewährleistet.
SDRAM DDR2-Technologie für verbesserten Datendurchsatz; Flüchtiger Speichertyp, der Strom benötigt, um die Datenspeicherung aufrechtzuerhalten.
Oberflächenmontage 60-TFBGA Gehäuse; Gerätemaße, die für kompakte Integration ausgelegt sind; Lieferantengerät mit 60-FBGA (8x10) für eine vereinfachte Montage.
Umfassender Betriebstemperaturbereich von 0°C bis 85°C; Entwickelt für langfristige Zuverlässigkeit in elektronischen Systemen.
Hochleistungs-Speicherlösung mit schnellem Zugriff und kurzen Zykluszeiten; Geeignet für Anwendungen, die großen Speicher und Hochgeschwindigkeitsbetrieb erfordern.
Veralteter Status mit Potenzial für Spezialanwendungen und Altsysteme.
Unterstützt ein breites Spektrum von Betriebsspannungen von 1,7 V bis 1,9 V.
Entspricht den standardmäßigen Branchenzertifizierungen und der Konformität für DDR2-Speicher.
Für eine nachhaltige Leistung über längere Zeiträume unter den angegebenen Betriebsbedingungen ausgelegt.
Verwendet in einer Vielzahl älterer Computersysteme, Server und Elektronik, die DDR2-Speichertechnologie benötigen.
MT47H128M8JN-3:H-Lager | MT47H128M8JN-3:H Preis | MT47H128M8JN-3:H-Elektronik | |||
MT47H128M8JN-3:H-Komponenten | MT47H128M8JN-3:H Inventar | MT47H128M8JN-3:H Digikey | |||
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Zugehörige Teile für MT47H128M8JN-3:H | |||||
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