ISP13DP06NMSATMA1
Artikelnummer ISP13DP06NMSATMA1
Hersteller Infineon Technologies
Beschreibung MOSFET P-CH 60V SOT223
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ECAD -Modell
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Technische Information von ISP13DP06NMSATMA1
Hersteller-Teilenummer ISP13DP06NMSATMA1 Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Hersteller Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Beschreibung MOSFET P-CH 60V SOT223
Paket / Fall PG-SOT223 Verfügbare Menge Available Stock
VGS (th) (Max) @ Id - Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-SOT223
Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Verlustleistung (max) - Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA
Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -
Befestigungsart Surface Mount Typ FET P-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.8A (Ta)
Grundproduktnummer ISP13DP06  
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