ISP12DP06NMXTSA1
Artikelnummer ISP12DP06NMXTSA1
Hersteller Infineon Technologies
Beschreibung MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4
Verfügbare Menge 756 pcs new original in stock.
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Technische Information von ISP12DP06NMXTSA1
Hersteller-Teilenummer ISP12DP06NMXTSA1 Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Hersteller Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Beschreibung MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4
Paket / Fall PG-SOT223-4 Verfügbare Menge 756 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 520µA Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-SOT223-4
Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.8A, 10V
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA
Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.2 nC @ 10 V Typ FET P-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.8A (Ta)
Grundproduktnummer ISP12DP06  
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