ISP12DP06NMXTSA1 | |
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Artikelnummer | ISP12DP06NMXTSA1 |
Hersteller | Infineon Technologies |
Beschreibung | MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4 |
Verfügbare Menge | 756 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | 1.ISP12DP06NMXTSA1.pdf2.ISP12DP06NMXTSA1.pdf3.ISP12DP06NMXTSA1.pdf4.ISP12DP06NMXTSA1.pdf |
ISP12DP06NMXTSA1 Price |
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Technische Information von ISP12DP06NMXTSA1 | |||
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Hersteller-Teilenummer | ISP12DP06NMXTSA1 | Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Hersteller | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Beschreibung | MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4 |
Paket / Fall | PG-SOT223-4 | Verfügbare Menge | 756 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 520µA | Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT223-4 |
Serie | OptiMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.8A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | TO-261-4, TO-261AA |
Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 30 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.2 nC @ 10 V | Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.8A (Ta) |
Grundproduktnummer | ISP12DP06 |
ISP12DP06NMXTSA1-Lager | ISP12DP06NMXTSA1 Preis | ISP12DP06NMXTSA1-Elektronik | |||
ISP12DP06NMXTSA1-Komponenten | ISP12DP06NMXTSA1 Inventar | ISP12DP06NMXTSA1 Digikey | |||
Lieferant ISP12DP06NMXTSA1 | ISP12DP06NMXTSA1 online bestellen | Anfrage ISP12DP06NMXTSA1 | |||
ISP12DP06NMXTSA1-Bild | ISP12DP06NMXTSA1 Bild | ISP12DP06NMXTSA1 PDF | |||
ISP12DP06NMXTSA1 Datenblatt | ISP12DP06NMXTSA1 Datenblatt herunterladen | Hersteller Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Zugehörige Teile für ISP12DP06NMXTSA1 | |||||
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Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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