IRLR2908TRLPBF-INF
Artikelnummer IRLR2908TRLPBF-INF
Hersteller Infineon Technologies
Beschreibung IRLR2908 - HEXFET POWER MOSFET
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ECAD -Modell
Datenblätter
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Technische Information von IRLR2908TRLPBF-INF
Hersteller-Teilenummer IRLR2908TRLPBF-INF Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Hersteller Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Beschreibung IRLR2908 - HEXFET POWER MOSFET
Paket / Fall D-PAK Verfügbare Menge Available Stock
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Vgs (Max) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse D-Pak
Serie HEXFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 23A, 10V
Verlustleistung (max) 120W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Bulk Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)
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