Produktmodell

IRLR2908PBF

Einführung

N-Kanal MOSFET für effizientes Energiemanagement

Marke und Hersteller

International Rectifier, jetzt Teil von Infineon Technologies

Merkmale

N-Kanal MOSFET; Niedriger Rds (on) für höhere Effizienz; Hohe kontinuierliche Drainstromkapazität

Produktleistung

Kann kontinuierliche Drainströme von bis zu 30A bewältigen; Unterstützt Drain-zu-Source-Spannungen von bis zu 80V; Effektiver Betrieb zwischen -55°C und 175°C

Technische Spezifikationen

FET-Typ: N-Kanal; Drain-zu-Source-Spannung (Vdss): 80V; Strom - kontinuierlicher Drain (Id) @ 25°C: 30A; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 23A, 10V; Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V

Abmessungen, Form und Verpackung

Gehäuse / Fall: TO-252-3, DPAK; Verpackung: Tube

Qualität und Zuverlässigkeit

Nach hohen Industriestandards für Langlebigkeit und Zuverlässigkeit gebaut

Produktvorteile

Hohe Effizienz bei geringer Einschaltwiderstand; Hohe thermische Leistung

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähig in Anwendungen des Energiemanagements

Kompatibilität

Kompatibel mit Standard-SMD-Prozessen

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht den Industriestandards für elektronische Komponenten

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Für langfristige Zuverlässigkeit unter verschiedenen Umweltbedingungen ausgelegt

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Stromversorgungen; Motorsteuerungen; Computer- und Datenspeichersysteme; Energiemanagementsysteme; Automobilanwendungen

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