| BSC077N12NS3GATMA1 | |
|---|---|
| Artikelnummer | BSC077N12NS3GATMA1 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON |
| Verfügbare Menge | 2065 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.BSC077N12NS3GATMA1.pdf2.BSC077N12NS3GATMA1.pdf3.BSC077N12NS3GATMA1.pdf4.BSC077N12NS3GATMA1.pdf5.BSC077N12NS3GATMA1.pdf |
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| Technische Information von BSC077N12NS3GATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | BSC077N12NS3GATMA1 | Kategorie | |
| Hersteller | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Beschreibung | MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON |
| Paket / Fall | PG-TDSON-8-1 | Verfügbare Menge | 2065 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 110µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | PG-TDSON-8-1 |
| Serie | OptiMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.7mOhm @ 50A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 139W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5700 pF @ 60 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 120 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 13.4A (Ta), 98A (Tc) |
| Grundproduktnummer | BSC077 | BSC077N12NS3GATMA1 Einzelheiten PDF [English] | BSC077N12NS3GATMA1 PDF - EN.pdf |
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Produktmodell
BSC077N12NS3 GATMA1
Einführung
Hocheffizienter N-Kanal Power MOSFET
Marke und Hersteller
International Rectifier (Infineon Technologies)
Merkmale
OptiMOS-Serie für überlegene Leistungsdichte und Effizienz, niedriger Durchlasswiderstand für hohe Schaltleistung, schnelle Schalt- und Anstiegszeiten, hervorragende thermische Leistung
Produktleistung
Robust und in der Lage, eine Vielzahl von Betriebsbedingungen standzuhalten; hohe kontinuierliche Drain-Stromfähigkeit; geringe Leistungsabgabe für verbesserte Gesamteffizienz
Technische Spezifikationen
MOSFET-Technologie; 120V Drain-Source-Spannung (Vdss); 13.4A bis 98A kontinuierlicher Drain-Strom (Id); 7.7 mOhm Rds On bei 50A, 10V; 4V Gate-Schwellenspannung (Vgs(th))
Abmessungen, Form und Verpackung
PG-TDSON-8 Gehäuse; Tape & Reel (TR) für automatisierte Montagelinien; Oberflächenmontage-Montagetyp
Qualität und Zuverlässigkeit
Blei-frei / RoHS-konform für Umweltverträglichkeit; hohe Zuverlässigkeit über einen breiten Temperaturbereich (-55°C bis 150°C)
Produktvorteile
Verbesserte Leistungsdichte für kompakte Designs; höhere Effizienz in der Leistungswandlungsanwendung; verlängerte Batterielebensdauer in tragbaren Anwendungen; reduzierte Komplexität des thermischen Managements
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
Wettbewerbsvorteil in Energieeffizienz und Größe; überlegene Schaltgeschwindigkeiten verringern Energieverluste; optimiert für Hochleistungsanwendungen
Kompatibilität
Kompatibel mit der Oberflächenmontagetechnologie; geeignet für hochdichte PCB-Layouts
Standardzertifizierung und Konformität
Entspricht den RoHS-Standards für beschränkte Stoffe
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Lange Produktlebensdauer mit nachhaltiger Leistung; energieeffizient zur Reduzierung des ökologischen Fußabdrucks
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Stromversorgungseinheiten; DC-DC-Wandler; Motorsteuerungen; Batteriemanagementsysteme; Computer- und Serveranwendungen
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| Zugehörige Teile für BSC077N12NS3GATMA1 | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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