BSC076N06NS3GATMA1 | |
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Artikelnummer | BSC076N06NS3GATMA1 |
Hersteller | Infineon Technologies |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 |
Verfügbare Menge | 2647 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
ECAD -Modell | |
Datenblätter | 1.BSC076N06NS3GATMA1.pdf2.BSC076N06NS3GATMA1.pdf3.BSC076N06NS3GATMA1.pdf4.BSC076N06NS3GATMA1.pdf5.BSC076N06NS3GATMA1.pdf |
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Technische Information von BSC076N06NS3GATMA1 | |||
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Hersteller-Teilenummer | BSC076N06NS3GATMA1 | Kategorie | |
Hersteller | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 |
Paket / Fall | PG-TDSON-8-5 | Verfügbare Menge | 2647 pcs |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 35µA | Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | PG-TDSON-8-5 |
Serie | OptiMOS™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.6mOhm @ 50A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4000 pF @ 30 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
Grundproduktnummer | BSC076 | BSC076N06NS3GATMA1 Einzelheiten PDF [English] | BSC076N06NS3GATMA1 PDF - EN.pdf |
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Zugehörige Teile für BSC076N06NS3GATMA1 | |||||
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BSC076N06NS3 G IC | INFINEON TDSON8 | INFINEON | ||
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BSC076N06NS3 G | BSC076N06NS3 G VB | VB | ||
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BSC079N03LSC | INFINEON PG-TDSON-8 | INFINEON | ||
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BSC072N08NS8 | INFINEON TDSON-8 | INFINEON | ||
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