BSC076N06NS3GATMA1
Artikelnummer BSC076N06NS3GATMA1
Hersteller Infineon Technologies
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
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Hersteller-Teilenummer BSC076N06NS3GATMA1 Kategorie  
Hersteller Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Beschreibung MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Paket / Fall PG-TDSON-8-5 Verfügbare Menge 2647 pcs
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 35µA Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-5
Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN
Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V Typ FET N-Channel
FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)
Grundproduktnummer BSC076 BSC076N06NS3GATMA1 Einzelheiten PDF [English] BSC076N06NS3GATMA1 PDF - EN.pdf
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