| MMDT5451-7-F | |
|---|---|
| Artikelnummer | MMDT5451-7-F |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Beschreibung | TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363 |
| Verfügbare Menge | 10110 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | 1.MMDT5451-7-F.pdf2.MMDT5451-7-F.pdf3.MMDT5451-7-F.pdf |
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| Technische Information von MMDT5451-7-F | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | MMDT5451-7-F | Kategorie | Kristalle, Oszillatoren, Resonatoren |
| Hersteller | Diodes Incorporated | Beschreibung | TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363 |
| Paket / Fall | SOT-363 | Verfügbare Menge | 10110 pcs |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 160V, 150V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
| Transistor-Typ | NPN, PNP | Supplier Device-Gehäuse | SOT-363 |
| Serie | - | Leistung - max | 200mW |
| Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Frequenz - Übergang | 300MHz | DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) | Strom - Kollektor (Ic) (max) | 200mA |
| Grundproduktnummer | MMDT5451 | MMDT5451-7-F Einzelheiten PDF [English] | MMDT5451-7-F PDF - EN.pdf |
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Produktmodell
MMDT5451-7-F
Einführung
Duales NPN- und PNP-Transistor-Array
Marke und Hersteller
Diodes Incorporated
Merkmale
Duale Transistorkonfiguration: NPN und PNP; Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung; Hohe Stromverstärkung Bandbreite Produkt
Produktleistung
Effizienter Betrieb im extremen Temperaturbereich von -55°C bis 150°C; Handhabung von Kollektorströmen bis zu 200mA; Hohe Spannungsfähigkeiten mit Kollektor-Emitter-Durchbruch bei 160V für NPN und 150V für PNP
Technische Spezifikationen
Leistungsbewertung: 200mW; Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch: 160V (NPN), 150V (PNP); Maximaler Kollektorstrom: 200mA; Vce-Sättigung: 200mV @ 5mA, 50mA (NPN) / 500mV @ 5mA, 50mA (PNP); Maximale Kollektor-Ausschaltströme: 50nA; DC-Stromverstärkung: 80 @ 10mA, 5V (NPN) / 60 @ 10mA, 5V (PNP); Übergangsfrequenz: 300MHz
Abmessungen, Form und Verpackung
Gehäuse: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363; Verpackt in Tape & Reel für automatisierte Montage; Oberflächenmontagegerät
Qualität und Zuverlässigkeit
Für langfristige Zuverlässigkeit in rauen Umgebungen entwickelt; Robuste Leistung über breite Temperaturspektren
Produktvorteile
Hohe Durchbruchspannung geeignet für Hochvolt-Anwendungen; Effiziente Leistungsbewältigung für Größe und Verpackung
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
Optimiert für Leistungsdichte und Effizienz; Wettbewerbsfähig in Märkten, die Hochvolt-Betrieb und kompaktes Design erfordern
Kompatibilität
Kompatibel mit Standard-Oberflächenmontageverfahren; Passt sich leicht in verschiedene elektronische Schaltungskonzepte ein
Standardzertifizierung und Konformität
Erfüllt Industriestandards für Qualität und Zuverlässigkeit; Entspricht Umwelt- und Sicherheitsvorschriften
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Entwickelt für Langlebigkeit unter strengen Betriebsbedingungen; Umweltfreundliche Materialien und Produktionsprozesse
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Geeignet für die Leistungsregelung in Unterhaltungselektronik; Ideal für Schaltanwendungen in Kommunikationsgeräten
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| MMDT5451-7-F-Lager | MMDT5451-7-F Preis | MMDT5451-7-F-Elektronik | |||
| MMDT5451-7-F-Komponenten | MMDT5451-7-F Inventar | MMDT5451-7-F Digikey | |||
| Lieferant MMDT5451-7-F | MMDT5451-7-F online bestellen | Anfrage MMDT5451-7-F | |||
| MMDT5451-7-F-Bild | MMDT5451-7-F Bild | MMDT5451-7-F PDF | |||
| MMDT5451-7-F Datenblatt | MMDT5451-7-F Datenblatt herunterladen | Hersteller Diodes Incorporated | |||
| Zugehörige Teile für MMDT5451-7-F | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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MMDT5451-TP | Interface | Micro Commercial Co | ||
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MMDT5451Q-7 | SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT363 | Diodes Incorporated | ||
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MMDT5401 | SOT-363 PNP+PNP 0.2W -0.6A -160V | Yangjie Technology | ||
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MMDT5551-7-F-55 | DIODES NA | DIODES | ||
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MMDT521NW | ST SOT323 | ST | ||
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MMDT5401Q-7-F | SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT363 | Diodes Incorporated | ||
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MMDT5451 | Transistors - Bipolar (BJT) - Si | Yangjie Technology | ||
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MMDT5551 100-300 K4N | CJ SOT-363 | CJ | ||
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MMDT5551-7 | TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363 | Diodes Incorporated | ||
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MMDT521LW-AQ | Digital Transistor, SOT-323, 50V | Diotec Semiconductor | ||
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MMDT5401-7-F-55 | DIODES NA | DIODES | ||
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MMDT5451-7-F-55 | DIODES NA | DIODES | ||
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MMDT5551 | SOT-363 NPN+NPN 0.2W 0.6A 180V T | Yangjie Technology | ||
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MMDT5551 K4N | LITTELFUSE SOT-363 | LITTELFUSE | ||
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MMDT5401-TP | TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363 | Micro Commercial Co | ||
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MMDT5401-7-F | TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363 | Diodes Incorporated | ||
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MMDT5451-7 | TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363 | Diodes Incorporated | ||
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MMDT5551-TP | TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363 | Micro Commercial Co | ||
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MMDT5551-7-F | TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363 | Diodes Incorporated | ||
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MMDT5401-7 | TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363 | Diodes Incorporated | ||
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