MMDT5451
Artikelnummer MMDT5451
Hersteller Yangjie Technology
Beschreibung Transistors - Bipolar (BJT) - Si
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ECAD -Modell
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Technische Information von MMDT5451
Hersteller-Teilenummer MMDT5451 Kategorie Kristalle, Oszillatoren, Resonatoren
Hersteller CJ Beschreibung Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Paket / Fall SOT-363 Verfügbare Menge 92140 pcs
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 160V, 150V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Transistor-Typ NPN, PNP Supplier Device-Gehäuse SOT-363
Serie - Leistung - max 200mW
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Paket Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Frequenz - Übergang 100MHz DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO) Strom - Kollektor (Ic) (max) 200mA
Grundproduktnummer MMDT5451  
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