Produktmodell

W9725G6KT-25

Einführung

Hochleistungs-DRAM-Chip

Marke und Hersteller

Winbond Electronics Corporation

Merkmale

16M x 4 Bankstruktur; Auto-Refresh- und Self-Refresh-Funktionen; Geringer Stromverbrauch; Programmierbare Burst-Länge: 4, 8; Programmierbare Burst-Art: Sequentiell, Interleaved

Produktleistung

Hohe Datenübertragungsrate; Betriebstemperatur bei 400 MHz Frequenz (DDR-800); Stabil in verschiedenen Temperaturbereichen

Technische Spezifikationen

Spannung: 1,8 V +/- 0,1 V; CAS-Latenz: 5; Precharge zu Active/Refresh-Zeit: 15 ns; Active zu Active/Auto Refresh-Zeit: 55 ns

Abmessungen, Form und Verpackung

Standard TSOP II 84-Ball-Gehäuse; Höhe: 22 mm; Breite: 14 mm; Tiefe: 1,4 mm

Qualität und Zuverlässigkeit

Erweiterte Temperaturbereichsleistung; Hohe Haltbarkeit bei kontinuierlichem Betrieb; Entspricht RoHS

Produktvorteile

Optimiert für Hochgeschwindigkeits-Rechenbedarf; Geringer Energieverbrauch verbessert die Systemeffizienz

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Gut in den Märkten für Hochgeschwindigkeits-Speicher konkurrierend; Kosteneffiziente Lösung für die Systemerweiterung

Kompatibilität

Kompatibel mit Standard-DDR2-Speichersockeln; Flexible Integration mit mehreren Chipset-Plattformen

Standardzertifizierung und Konformität

RoHS-konform; Entspricht den JEDEC-Standards

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Für langfristige Zuverlässigkeit über mehrere Nutzungszyklen konzipiert; Umweltfreundliche Komponenten und Verpackung

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Personalcomputer; Hochleistungsrechnungsserver; Spielkonsolen

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