| SUD50P10-43L-E3 | |
|---|---|
| Artikelnummer | SUD50P10-43L-E3 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252 |
| Verfügbare Menge | 6352 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | SUD50P10-43L-E3.pdf |
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| SUD50P10-43L-E3 Price |
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| Technische Information von SUD50P10-43L-E3 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | SUD50P10-43L-E3 | Kategorie | |
| Hersteller | Vishay / Siliconix | Beschreibung | MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252 |
| Paket / Fall | TO-252AA | Verfügbare Menge | 6352 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 9.2A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 8.3W (Ta), 136W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4600 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V | Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 37.1A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SUD50 | SUD50P10-43L-E3 Einzelheiten PDF [English] | SUD50P10-43L-E3 PDF - EN.pdf |
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Produktmodell
SUD50P10-43L-E3
Einführung
P-Kanal Trench MOSFET entwickelt für Energieumwandlungs- und Schaltanwendungen
Marke und Hersteller
Vishay / Siliconix
Merkmale
MOSFET (Metalloxid) Technologie, P-Kanal für hohe Effizienz im Schalten, TrenchFET-Serie für verbesserte Leistung
Produktleistung
Hoher kontinuerlicher Abflussstrom von 37,1A bei TC 25°C, Temperaturtoleranz von -55°C bis 175°C, Geringer Rds on von 43 mOhm zur Reduzierung der Leistungs- Verluste, Hohe Leistungsabgabe: 8,3W (Ta), 136W (Tc)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V, Gate-Source-Schwellenwertspannung (Vgs(th)) 3V @ 250µA, Gate-Ladung (Qg) 160nC @ 10V, Eingangskapazität (Ciss) 4600pF @ 50V, Treiberspannung für optimales Rds On 4,5V bis 10V, Maximaler Gate-Spannung (Vgs) ±20V
Abmessungen, Form und Verpackung
Oberflächenmontage TO-252-3, DPAK (2 Anschlüsse + Tab), SC-63 Verpackung, Herstellerverpackung TO-252, (D-Pak), Geliefert in Tape & Reel (TR) für automatisierte Montage
Qualität und Zuverlässigkeit
Blei- und RoHS-konform zur Gewährleistung von Umweltstandards, Robuste Bauqualität für eine langanhaltende Leistung
Produktvorteile
Energieeffizienter niedriger Einschaltwiderstand, Hohe thermische Leistung mit einem breiten Betriebstemperaturbereich, Für automatisierte Montageprozesse mit Tape & Reel-Verpackung geeignet, Kompatibel mit verschiedenen Energieverwaltungsanwendungen
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
Entspricht den Branchenstandards für P-Kanal MOSFETs, Wettbewerbsfähige Preise und Leistung innerhalb seiner Kategorie
Kompatibilität
Entwickelt für allgemeine Leistungsanwendungen, Kann in verschiedenen Schaltungsdesigns aufgrund der Normenkompatibilität verwendet werden
Standardzertifizierung und Konformität
Entspricht den RoHS-Standards für Umweltkonformität
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Haltbare Materialien und Konstruktion für eine verlängerte Produktlebensdauer
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Energieversorgungssysteme, Motorantriebe, Energiewanderungsschaltungen, Batteriemanagementsysteme, DC-DC Wandler
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| SUD50P10-43L-E3-Lager | SUD50P10-43L-E3 Preis | SUD50P10-43L-E3-Elektronik | |||
| SUD50P10-43L-E3-Komponenten | SUD50P10-43L-E3 Inventar | SUD50P10-43L-E3 Digikey | |||
| Lieferant SUD50P10-43L-E3 | SUD50P10-43L-E3 online bestellen | Anfrage SUD50P10-43L-E3 | |||
| SUD50P10-43L-E3-Bild | SUD50P10-43L-E3 Bild | SUD50P10-43L-E3 PDF | |||
| SUD50P10-43L-E3 Datenblatt | SUD50P10-43L-E3 Datenblatt herunterladen | Hersteller Vishay / Siliconix | |||
| Zugehörige Teile für SUD50P10-43L-E3 | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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SUD70090E-GE3 | MOSFET N-CH 100V 50A DPAK TO252 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SUD70090E | VISH TO-252 | VISH | ||
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SUD50P10-43 | VISHAY TO-252 | VISHAY | ||
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SUD50P10-43L | SUD50P10-43L VISHAY | VISHAY | ||
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SUD70090E-GE3 | MOSFET N-CH 100V 50A TO252 | Vishay Siliconix | ||
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SUD50P10-43L-E3 | MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SUD50P10-43L-BE3 | MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK | Vishay Siliconix | ||
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SUD50P10-43L-GE3 | MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SUD50P10-43-E3 | MOSFET P-CH 100V 38A TO252 | Vishay Siliconix | ||
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SUD50P08-26-E3 | MOSFET P-CH 80V 50A TO252 | Vishay Siliconix | ||
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SUD50P08-28 | SUD50P08-28 VISHAY | VISHAY | ||
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SUD70N02-03P | SUD70N02-03P VISHAY | VISHAY | ||
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SUD50P10-43L-GE3 | MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252 | Vishay Siliconix | ||
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SUD50P10-43-E3 | MOSFET P-CH 100V 38A TO252 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SUD50P08-26-E3 | MOSFET P-CH 80V 50A TO252 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SUD50P10-43L-GE3 MOS | VISHAY TO-252 | VISHAY | ||
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SUD60N10-225L-E3 | VISHAY TO252 | VISHAY | ||
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SUD50P10-43L-GE | VISHAY | |||
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SUD50P10-43L-T4GE3 | VISHAY TO-252 | VISHAY | ||
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SUD50P08-25L-E3 | MOSFET P-CH 80V 50A TO252 | Vishay Siliconix | ||
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