| SUD08P06-155L-GE3 | |
|---|---|
| Artikelnummer | SUD08P06-155L-GE3 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252 |
| Verfügbare Menge | 50287 pcs new original in stock. Angebots- und Angebotsanfrage |
| ECAD -Modell | |
| Datenblätter | SUD08P06-155L-GE3.pdf |
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| SUD08P06-155L-GE3 Price |
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| Technische Information von SUD08P06-155L-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Hersteller-Teilenummer | SUD08P06-155L-GE3 | Kategorie | |
| Hersteller | Vishay / Siliconix | Beschreibung | MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252 |
| Paket / Fall | TO-252 | Verfügbare Menge | 50287 pcs |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TO-252 |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) | Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8.4A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SUD08 | SUD08P06-155L-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SUD08P06-155L-GE3 PDF - EN.pdf |
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Produktmodell
SUD08P06-155L-GE3
Einführung
P-Kanal 60V TrenchFET Leistungs-MOSFET
Marke und Hersteller
Vishay / Siliconix
Merkmale
P-Kanal MOSFET, TrenchFET-Technologie, Oberflächenmontage TO-252, bleifrei / RoHS-konform, niedriger Einschaltwiderstand, hohe Schaltgeschwindigkeit
Produktleistung
Betriebstemperaturbereich -55°C bis 150°C, kontinuierlicher Drain-Strom 8,4A bei 25°C, Verlustleistung 1,7W bei Umgebung, 20,8W bei Gehäusetemperatur
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung 60V, Rds On 155 mOhm bei 5A, 10V, Schwellenspannung 3V bei 250µA, Gate-Ladung 19nC bei 10V, Eingangskapazität 450pF bei 25V
Abmessungen, Form und Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse + Tab), SC-63 Gehäuse, Herstellerverpackung: Tape & Reel
Qualität und Zuverlässigkeit
Hohe Qualität und Zuverlässigkeit nach Industriestandards
Produktvorteile
Energieeffizientes Gerät, optimiert für niedrige Gate-Ladung
Wettbewerbsfähigkeit des Produkts
Wettbewerbsfähige Drain-Source-Durchbruchspannung, verbesserte Wettbewerbsfähigkeit im P-Kanal MOSFET-Markt
Kompatibilität
Kompatibel mit Standard-Oberflächenmontagetechniken
Standardzertifizierung und Konformität
RoHS-konform
Lebensdauer und Nachhaltigkeit
Haltbares und nachhaltiges Design für langfristige Nutzung
Tatsächliche Anwendungsbereiche
Energieverwaltung in Computer- und Telekommunikationssystemen, Schalt- und Verstärkungsanwendungen
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| SUD08P06-155L-GE3-Lager | SUD08P06-155L-GE3 Preis | SUD08P06-155L-GE3-Elektronik | |||
| SUD08P06-155L-GE3-Komponenten | SUD08P06-155L-GE3 Inventar | SUD08P06-155L-GE3 Digikey | |||
| Lieferant SUD08P06-155L-GE3 | SUD08P06-155L-GE3 online bestellen | Anfrage SUD08P06-155L-GE3 | |||
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| SUD08P06-155L-GE3 Datenblatt | SUD08P06-155L-GE3 Datenblatt herunterladen | Hersteller Vishay / Siliconix | |||
| Zugehörige Teile für SUD08P06-155L-GE3 | |||||
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| Bild | Artikelnummer | Beschreibung | Hersteller | Ein Angebot bekommen | |
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SUD08P06-1S5L-E3 | SUD08P06-1S5L-E3 Vishay | Vishay | ||
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SUD06N10-225L-T1-E3 | SUD06N10-225L-T1-E3 VB | VB | ||
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SUD06N10-225L_08 | SUD06N10-225L_08 VB | VB | ||
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SUD08P06-155L-T4E3 | MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SUD08P06-155L-E3 | MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252 | Vishay Siliconix | ||
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SUD08P06-155L-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SUD10P06-280L-E3 | SUD10P06-280L-E3 VISHAY | VISHAY | ||
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SUD06N10-22L | VISHAY TO-252 | VISHAY | ||
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SUD08P06-155L-E3 MOS | VISHAY TO-252 | VISHAY | ||
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SUD09P10-195-GE3 | MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252 | Vishay Siliconix | ||
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SUD08P06-155L-E3 | MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SUD10P06-280L | SUD10P06-280L VISHAY | VISHAY | ||
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SUD06N10-255L-T1-E3 | SUD06N10-255L-T1-E3 VB | VB | ||
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SUD09P10-195 | SUD09P10-195 Vishay | Vishay | ||
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SUD08P06-155L | SUD08P06-155L VISH | VISH | ||
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SUD10P06-280L-E3 MOS | VBSEMI TO-252 | VBSEMI | ||
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SUD08P06-155L-BE3 | MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK | Vishay Siliconix | ||
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SUD09P10-195-GE3 | MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SUD09P10-195-BE3 | MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK | Vishay Siliconix | ||
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SUD08P06-155L-T4E3 | MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252 | Vishay Siliconix | ||
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